FQP8N60C中文资料功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，600 V，7.5 A，1.2 Ω，TO-220数据手册ONSEMI规格书
FQP8N60C规格书详情
描述 Description
此类 N 沟道 MOSFET 增强型电场效应晶体管使用安森美半导体的平面条纹 DMOS 专属工艺生产。此先进工艺特别适用于最大程度降低导通电阻，提供卓越的开关性能，可承受雪崩和换相模式下的高能量脉冲。此类器件非常适用于高效开关模式电源、功率因数校正、基于半桥拓扑结构的电子灯镇流器。
特性 Features
•7.5 A，600 V，RDS(on) = 1.2 Ω（最大值），需 VGS = 10 V、ID = 3.75 A
•低栅极电荷（典型值 28 nC）
•低 Crss（典型值 12 pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
技术参数
- 型号：
FQP8N60C
- 功能描述：
MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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