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FQP13N10L	文件：300 bytes Page：1 Pages	功率 MOSFET，N 沟道，逻辑电平，QFET®，100 V，12.8 A，180 mΩ，TO-220; •12.8A, 100V, RDS(on)= 180mΩ（最大值）@VGS = 10 V, ID = 6.4A栅极电荷低（典型值：8.7nC)\n•低 Crss（典型值20pF)\n•100% 经过雪崩击穿测试\n•175°C最大结温额定值\"\n• 175°C maximum junction temperature rating\n; 该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FQP13N10L	文件：554.37 Kbytes Page：8 Pages	100V LOGIC N-Channel MOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology.Thisadvancedtechnologyisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQP13N10L	文件：319.04 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FQPF13N10	文件：617.87 Kbytes Page：8 Pages	100VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQPF13N10	文件：278.01 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=8.7A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.18Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FQPF13N10L	文件：554.44 Kbytes Page：8 Pages	100VLOGICN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology.Thisadvancedtechnologyisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

技术参数

Pb-free：
Pb
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
100
VGS Max (V)：
±20
VGS(th) Max (V)：
2
ID Max (A)：
12.8
PD Max (W)：
65
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
200
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
180
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
8.7
Ciss Typ (pF)：
400
Package Type：
TO-220-3

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