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IXFP3N50	文件：277.25 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=2.7A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=2.0Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andPFCCircuits..	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFP3N50PM	文件：112.65 Kbytes Page：2 Pages	PolarHVHiPerFETPowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTA3N50P	文件：236.75 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVPowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTP3N50P	文件：236.75 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVPowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTY3N50P	文件：236.75 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVPowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
JMP3N50B	文件：551.204 Kbytes Page：10 Pages		JJWJieJie Microelectronics Co., Ltd. 捷捷微江苏捷捷微电子股份有限公司 PDF上传者：深圳市溢航科技有限公司	JJW
KF3N50DIZ	文件：410.45 Kbytes Page：6 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,fastreverserecoverytime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforelectronicballastandswitchingmodepowersupplies. FEATURES	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
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KF3N50DZ	文件：1.07628 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent •ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

详细参数

型号：
FQD3N50CTM_WS
制造商：
Fairchild Semiconductor Corporation
功能描述：
3A/500V MOS-FET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市威尔健半导体有限公司	FQD3N50CTMIC	FAIRCHILD/仙童	23+	TO252	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市博中泰实业有限公司	FQD3N50CTMIC	FAIRCHILD/仙童	24+	TO252	60000	全新原装现货	询价
深圳市宇集芯电子有限公司	FQD3N50CTM-NL	FAIRCHIL	24+	TO-252	90000	一级代理商进口原装现货、价格合理	询价
深圳市星佑电子有限公司	FQD3N60	仙童	06+	TO-252	8000	原装库存	询价
深圳市一线半导体有限公司	FQD3N60	FAIRCHILD	24+	TO-252	100500		询价
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	FQD3N60	原厂	23+	TO-252	5000	原装正品,假一罚十	询价
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更多FQD3N50CTM_WS供应商更新时间2025-7-25 11:00:00

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