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IXFP3N50	文件：277.25 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=2.7A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=2.0Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andPFCCircuits..	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFP3N50PM	文件：112.65 Kbytes Page：2 Pages	PolarHV HiPerFET Power MOSFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
3N50	文件：173.79 Kbytes Page：6 Pages	3Amps,500VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
3N50	文件：49.87 Kbytes Page：2 Pages	FastSwitching •FEATURES •DrainCurrentID=3A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=3.0Ω(Max) •FastSwitching •APPLICATIONS •Switchingpowersupplies,converters,ACandDCmotorcontrols	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
3N50	文件：181.85 Kbytes Page：6 Pages	3A,500VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
3N50KG-TMS-T	文件：297.51 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELINSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR DESCRIPTION TheUTC3N50K-MKisanN-channelmodepowerMOSFETusingUTC’sadvancedtechnologytoprovidecustomerswithplanarstripeandDMOStechnology.Thistechnologyallowsaminimumon-stateresistanceandsuperiorswitchingperformance.Italsocanwithstandhighenergypulseintheavala	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
3N50KG-TND-R	文件：297.51 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELINSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR DESCRIPTION TheUTC3N50K-MKisanN-channelmodepowerMOSFETusingUTC’sadvancedtechnologytoprovidecustomerswithplanarstripeandDMOStechnology.Thistechnologyallowsaminimumon-stateresistanceandsuperiorswitchingperformance.Italsocanwithstandhighenergypulseintheavala	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
3N50KL-TMS-T	文件：297.51 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELINSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR DESCRIPTION TheUTC3N50K-MKisanN-channelmodepowerMOSFETusingUTC’sadvancedtechnologytoprovidecustomerswithplanarstripeandDMOStechnology.Thistechnologyallowsaminimumon-stateresistanceandsuperiorswitchingperformance.Italsocanwithstandhighenergypulseintheavala	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
3N50KL-TND-R	文件：297.51 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELINSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR DESCRIPTION TheUTC3N50K-MKisanN-channelmodepowerMOSFETusingUTC’sadvancedtechnologytoprovidecustomerswithplanarstripeandDMOStechnology.Thistechnologyallowsaminimumon-stateresistanceandsuperiorswitchingperformance.Italsocanwithstandhighenergypulseintheavala	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
3N50K-MK	文件：297.51 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELINSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR DESCRIPTION TheUTC3N50K-MKisanN-channelmodepowerMOSFETusingUTC’sadvancedtechnologytoprovidecustomerswithplanarstripeandDMOStechnology.Thistechnologyallowsaminimumon-stateresistanceandsuperiorswitchingperformance.Italsocanwithstandhighenergypulseintheavala	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
3N50Z	文件：178.84 Kbytes Page：6 Pages	3A,500VN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheUTC3N50ZisanN-channelmodepowerMOSFETusingUTC’sadvancedtechnologytoprovidecustomerswithplanarstripeandDMOStechnology.Thistechnologyallowsaminimumon-stateresistanceandsuperiorswitchingperformance.Italsocanwithstandhighenergypulseintheavalanch	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
3N50Z	文件：1.07845 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent •ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
3N50ZG	文件：1.07849 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent •ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AOD3N50	文件：1.07606 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AOD3N50	文件：309.83 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOD3N50	文件：174.35 Kbytes Page：6 Pages	3A,500VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheAOD3N50&AOU3N50havebeenfabricatedusinganadvancedhighvoltageMOSFETprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinpopularAC-DCapplications.ByprovidinglowRDS(on),CissandCrssalongwithguaranteedavalanchecapability	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOD3N50	文件：331.59 Kbytes Page：6 Pages	500V,3AN-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOT3N50	文件：1.08655 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AOT3N50	文件：164.27 Kbytes Page：6 Pages	500V,3AN-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
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详细参数

型号：
IXFP3N50
功能描述：
MOSFET 2.7 Amps 500V 2.0 Ohms Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IXFP3N50供应商更新时间2024-6-7 18:43:00

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