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KF3N50DZ	文件：410.45 Kbytes Page：6 Pages	N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,fastreverserecoverytime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforelectronicballastandswitchingmodepowersupplies. FEATURES	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KF3N50DZ	文件：410.45 Kbytes Page：6 Pages	N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,fastreverserecoverytime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforelectronicballastandswitchingmodepowersupplies. FEATURES	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KF3N50DZ	文件：1.07628 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent •ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
KF3N50DZ/IZ	文件：410.45 Kbytes Page：6 Pages	N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,fastreverserecoverytime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforelectronicballastandswitchingmodepowersupplies. FEATURES	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KF3N50DZIZ	文件：410.45 Kbytes Page：6 Pages	N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,fastreverserecoverytime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforelectronicballastandswitchingmodepowersupplies. FEATURES	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KF3N50DZ_15	文件：388.52 Kbytes Page：6 Pages	N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KF3N50DZ-IZ_15	文件：410.45 Kbytes Page：6 Pages	N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
3N50	文件：173.79 Kbytes Page：6 Pages	3Amps,500VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
3N50	文件：49.87 Kbytes Page：2 Pages	FastSwitching •FEATURES •DrainCurrentID=3A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=3.0Ω(Max) •FastSwitching •APPLICATIONS •Switchingpowersupplies,converters,ACandDCmotorcontrols	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
3N50	文件：181.85 Kbytes Page：6 Pages	3A,500VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
3N50KG-TMS-T	文件：297.51 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELINSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR DESCRIPTION TheUTC3N50K-MKisanN-channelmodepowerMOSFETusingUTC’sadvancedtechnologytoprovidecustomerswithplanarstripeandDMOStechnology.Thistechnologyallowsaminimumon-stateresistanceandsuperiorswitchingperformance.Italsocanwithstandhighenergypulseintheavala	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
3N50KG-TND-R	文件：297.51 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELINSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR DESCRIPTION TheUTC3N50K-MKisanN-channelmodepowerMOSFETusingUTC’sadvancedtechnologytoprovidecustomerswithplanarstripeandDMOStechnology.Thistechnologyallowsaminimumon-stateresistanceandsuperiorswitchingperformance.Italsocanwithstandhighenergypulseintheavala	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
3N50KL-TMS-T	文件：297.51 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELINSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR DESCRIPTION TheUTC3N50K-MKisanN-channelmodepowerMOSFETusingUTC’sadvancedtechnologytoprovidecustomerswithplanarstripeandDMOStechnology.Thistechnologyallowsaminimumon-stateresistanceandsuperiorswitchingperformance.Italsocanwithstandhighenergypulseintheavala	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
3N50KL-TND-R	文件：297.51 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELINSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR DESCRIPTION TheUTC3N50K-MKisanN-channelmodepowerMOSFETusingUTC’sadvancedtechnologytoprovidecustomerswithplanarstripeandDMOStechnology.Thistechnologyallowsaminimumon-stateresistanceandsuperiorswitchingperformance.Italsocanwithstandhighenergypulseintheavala	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
3N50K-MK	文件：297.51 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELINSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR DESCRIPTION TheUTC3N50K-MKisanN-channelmodepowerMOSFETusingUTC’sadvancedtechnologytoprovidecustomerswithplanarstripeandDMOStechnology.Thistechnologyallowsaminimumon-stateresistanceandsuperiorswitchingperformance.Italsocanwithstandhighenergypulseintheavala	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
3N50Z	文件：1.07845 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent •ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
3N50Z	文件：178.84 Kbytes Page：6 Pages	3A,500VN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheUTC3N50ZisanN-channelmodepowerMOSFETusingUTC’sadvancedtechnologytoprovidecustomerswithplanarstripeandDMOStechnology.Thistechnologyallowsaminimumon-stateresistanceandsuperiorswitchingperformance.Italsocanwithstandhighenergypulseintheavalanch	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
3N50ZG	文件：1.07849 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent •ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AOD3N50	文件：1.07606 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AOD3N50	文件：309.83 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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详细参数

型号：
KF3N50DZ
制造商：
KEC
制造商全称：
KEC(Korea Electronics)
功能描述：
N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多KF3N50DZ供应商更新时间2024-5-3 11:36:00

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