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FQD16N25C	文件：298.88 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID=16A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=250V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.27Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：298.88 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
FQD16N25C	文件：688.68 Kbytes Page：8 Pages	250V N-Channel MOSFET 文件：688.68 Kbytes 页数：8 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FQD16N25C_12	文件：842.15 Kbytes Page：8 Pages	250V N-Channel MOSFET 文件：842.15 Kbytes 页数：8 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FQD16N25CTF	文件：688.68 Kbytes Page：8 Pages	250V N-Channel MOSFET 文件：688.68 Kbytes 页数：8 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FQD16N25CTF_12	文件：842.15 Kbytes Page：8 Pages	250V N-Channel MOSFET 文件：842.15 Kbytes 页数：8 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FQD16N25CTM	文件：688.68 Kbytes Page：8 Pages	250V N-Channel MOSFET 文件：688.68 Kbytes 页数：8 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FQD16N25CTM_12	文件：842.15 Kbytes Page：8 Pages	250V N-Channel MOSFET 文件：842.15 Kbytes 页数：8 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FQD16N25C	文件：300 bytes Page：1 Pages	功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，250 V，16 A，270 mΩ，DPAK 该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。 •16A, 250V, RDS(on)= 270mΩ（最大值）@VGS = 10 V, ID = 8A栅极电荷低（典型值：41nC)\n•低 Crss（典型值68pF)\n•经过100%雪崩测试\n•100% avalanche testedcapability;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
250
VGS Max (V)：
±30
VGS(th) Max (V)：
4
ID Max (A)：
16
PD Max (W)：
160
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
270
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
41
Ciss Typ (pF)：
830
Package Type：
DPAK-3/TO-252-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FQD16N25C供应商更新时间2025-12-7 16:30:00

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