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FQB14N15	文件：788.26 Kbytes Page：9 Pages	150VN-ChannelMOSFET Features •14A,150V,RDS(on)=0.21Ω@VGS=10V •Lowgatecharge(typical18nC) •LowCrss(typical22pF) •Fastswitching •100avalanchetested •Improveddv/dtcapability •175°Cmaximumjunctiontemperaturerating	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQD14N15	文件：777.63 Kbytes Page：9 Pages	150VN-ChannelMOSFET 150VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQD14N15	文件：292.63 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.21Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FQI14N15	文件：788.26 Kbytes Page：9 Pages	150VN-ChannelMOSFET Features •14A,150V,RDS(on)=0.21Ω@VGS=10V •Lowgatecharge(typical18nC) •LowCrss(typical22pF) •Fastswitching •100avalanchetested •Improveddv/dtcapability •175°Cmaximumjunctiontemperaturerating	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQP14N15	文件：772.35 Kbytes Page：8 Pages	150VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproductusingFairchildsproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancetechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstan	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQP14N15	文件：666.21 Kbytes Page：34 Pages	STEREO200WCLASS-TDIGITALAUDIOAMPLIFIERDRIVERUSINGDIGITALPOWERPROCESSINGTECHNOLOGY GENERALDESCRIPTION TheTK2150(TC2001/TP2150chipset)isatwo-channel,200W(6Ω)perchannelAmplifierDriverthatusesTripath’sproprietaryDigitalPowerProcessing(DPP™)technology.Class-TamplifiersofferboththeaudiofidelityofClass-ABandthepowerefficiencyofClass-Damplifiers. F	TRIPATH TRIPATH	TRIPATH
FQP14N15	文件：301.62 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=14.4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.21Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FQPF14N15	文件：278.21 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=9.8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.21Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FQPF14N15	文件：761.63 Kbytes Page：8 Pages	150VNCHANNELMOSFET 150VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQU14N15	文件：777.63 Kbytes Page：9 Pages	150VN-ChannelMOSFET 150VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQU14N15	文件：329.5 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.21Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
KSM14N15	文件：2.05429 Mbytes Page：7 Pages	150VN-CHANNELMOFSET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMD14N15	文件：1.69612 Mbytes Page：8 Pages	150VN-CHANNELMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMU14N15	文件：1.69612 Mbytes Page：8 Pages	150VN-CHANNELMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市华集芯实业有限公司	FQD14N15TFMOS(场效应管)	FAIRCHILD/仙童	23+	D-PAKTO-252	6000	公司十几年如一日,只做原装正品,优势渠道保证每一片	询价
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中科航电(深圳)半导体技术有限公司	FQD14N15TM	Fairchild/ONSemiconducto	2019+	TO-252-3	65500	DPak(2Leads+Tab)	询价
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深圳市河锋鑫科技有限公司	FQD14N15TM	Fairchild/ON	22+	TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC	9000	原厂渠道,现货配单	询价
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更多FQD14N15TFMOS(场效应管)供应商更新时间2024-6-6 15:02:00

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