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KF9N25P	文件：97.27 Kbytes Page：7 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.ItismainlysuitableforDC/DCConvertersandswitchingmodepowersupplies. FEATURES ·VDSS=250V,ID=9.0A ·Drai	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KSM9N25C	文件：1.85015 Mbytes Page：7 Pages	250VN-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMD9N25	文件：1.63966 Mbytes Page：8 Pages	250VN-CHANNELMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMF9N25C	文件：1.85015 Mbytes Page：7 Pages	250VN-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMU9N25	文件：1.63966 Mbytes Page：8 Pages	250VN-CHANNELMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MTB9N25E	文件：293.63 Kbytes Page：12 Pages	HighEnergyPowerFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTB9N25E	文件：258.75 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET9.0AMPERES250VOLTS TheD2PAKpackagehasthecapabilityofhousingalargerdiethananyexistingsurfacemountpackagewhichallowsittobeusedinapplicationsthatrequiretheuseofsurfacemountcomponentswithhigherpowerandlowerRDS(on)capabilities.ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationscheme	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MTP9N25	文件：206.33 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET9.0AMPERES250VOLTSRDS(on)=0.45OHM TMOSE-FETPowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithafastrecoverytime.Designedforlowv	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MTP9N25E	文件：213.11 Kbytes Page：7 Pages	PowerFieldEffectTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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详细参数

型号：
FQB9N25CTM
功能描述：
MOSFET NCH/250V/9A/QFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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