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FQPF7N60	文件：278.4 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=4.3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.0Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FQPF7N60C	文件：888.3 Kbytes Page：8 Pages	600VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FTK7N60DD	文件：248.06 Kbytes Page：6 Pages	7.0Amps,600VoltsN-CHANNELMOSFET	FS First Silicon Co., Ltd	FS
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FTK7N60F	文件：248.06 Kbytes Page：6 Pages	7.0Amps,600VoltsN-CHANNELMOSFET	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FTK7N60F	文件：248.06 Kbytes Page：6 Pages	7.0Amps,600VoltsN-CHANNELMOSFET	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FTK7N60P	文件：248.06 Kbytes Page：6 Pages	7.0Amps,600VoltsN-CHANNELMOSFET	FS First Silicon Co., Ltd	FS
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FTK7N60PD	文件：248.06 Kbytes Page：6 Pages	7.0Amps,600VoltsN-CHANNELMOSFET	FS First Silicon Co., Ltd	FS
G7N60C	文件：144.51 Kbytes Page：7 Pages	14A,600V,UFSSeriesN-ChannelIGBTs TheHGTD7N60C3SandHGTP7N60C3areMOSgatedhighvoltageswitchingdevicescombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThesedeviceshavethehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltagedropvar	Intersil Intersil Corporation	Intersil

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详细参数

型号：
FQB7N60TM
功能描述：
MOSFET 600V N-Channel QFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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