isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID=30A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.04Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC conv

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ISC

无锡固电

60V N-Channel MOSFET

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Fairchild

仙童半导体

60V N-Channel MOSFET

ONSEMI

安森美半导体

60V LOGIC N-Channel MOSFET

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Fairchild

仙童半导体

N-Channel QFET짰 MOSFET

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Fairchild

仙童半导体

N-Channel QFET짰 MOSFET

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Fairchild

仙童半导体

功率 MOSFET，N 沟道，逻辑电平，QFET®，60 V，32 A，35mΩ，D2PAK

该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。 •32A, 60V, RDS(on)= 35mΩ（最大值）@VGS = 10 V, ID = 16A栅极电荷低（典型值：15nC)\n•低 Crss（典型值50pF)\n•100% 经过雪崩击穿测试\n•175°C最大结温额定值\"\n• 175°C maximum junction temperature rating;

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