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FQPF13N50CSDTU	文件：927.75 Kbytes Page：10 Pages	500VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQPF13N50CT	文件：927.75 Kbytes Page：10 Pages	500VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQPF13N50T	文件：1.28318 Mbytes Page：10 Pages	N-ChannelQFETMOSFET Description ThisN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor®’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhigha	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
GPT13N50	文件：1.20903 Mbytes Page：6 Pages	POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR GENERALDESCRIPTION ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedtermination schemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapability withoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,this advancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyin avalancheandcommutationmodes.Thenewenergy	GREATPOWERGreatpower Microelectronic Corp. 冠顺微电子深圳冠顺微电子有限公司	GREATPOWER
GPT13N50D	文件：1.20903 Mbytes Page：6 Pages	POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR GENERALDESCRIPTION ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedtermination schemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapability withoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,this advancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyin avalancheandcommutationmodes.Thenewenergy	GREATPOWERGreatpower Microelectronic Corp. 冠顺微电子深圳冠顺微电子有限公司	GREATPOWER
HFP13N50	文件：506.34 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhighenergy	HuashanSHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD 华汕电子器件汕头华汕电子器件有限公司	Huashan
HFP13N50S	文件：946.97 Kbytes Page：8 Pages	500VN-ChannelMOSFET FEATURES ❐OriginativeNewDesign ❐SuperiorAvalancheRuggedTechnology ❐RobustGateOxideTechnology ❐VeryLowIntrinsicCapacitances ❐ExcellentSwitchingCharacteristics ❐UnrivalledGateCharge:38nC(Typ.) ❐ExtendedSafeOperatingArea ❐LowerRDS(ON):0.39Ω(Typ.)@VGS=10V ❐	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
HFP13N50U	文件：169.33 Kbytes Page：8 Pages	SuperiorAvalancheRuggedTechnology FEATURES ❐OriginativeNewDesign ❐SuperiorAvalancheRuggedTechnology ❐RobustGateOxideTechnology ❐VeryLowIntrinsicCapacitances ❐ExcellentSwitchingCharacteristics ❐UnrivalledGateCharge:34nC(Typ.) ❐ExtendedSafeOperatingArea ❐LowerRDS(ON):0.39Ω(Typ.)@vGS=10V ❐	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
HFS13N50S	文件：859.14 Kbytes Page：7 Pages	500VN-ChannelMOSFET	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
HFS13N50U	文件：156.72 Kbytes Page：7 Pages	SuperiorAvalancheRuggedTechnology	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW

详细参数

型号：
FQB13N50TM
功能描述：
MOSFET DISC BY MFG 2/02
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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