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FQPF13N50C	文件：278.25 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=13A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.48Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FQPF13N50CF	文件：1.14783 Mbytes Page：10 Pages	500VN-ChannelMOSFET Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhig	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQPF13N50CF	文件：321.7 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=13A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.54mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FQPF13N50CF	文件：278.27 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=13A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.54Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FQPF13N50CSDTU	文件：927.75 Kbytes Page：10 Pages	500VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQPF13N50CT	文件：927.75 Kbytes Page：10 Pages	500VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQPF13N50T	文件：1.28318 Mbytes Page：10 Pages	N-ChannelQFETMOSFET Description ThisN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor®’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhigha	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
GPT13N50	文件：1.20903 Mbytes Page：6 Pages	POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR GENERALDESCRIPTION ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedtermination schemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapability withoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,this advancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyin avalancheandcommutationmodes.Thenewenergy	GREATPOWERGreatpower Microelectronic Corp. 冠顺微电子深圳冠顺微电子有限公司	GREATPOWER
GPT13N50D	文件：1.20903 Mbytes Page：6 Pages	POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR GENERALDESCRIPTION ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedtermination schemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapability withoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,this advancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyin avalancheandcommutationmodes.Thenewenergy	GREATPOWERGreatpower Microelectronic Corp. 冠顺微电子深圳冠顺微电子有限公司	GREATPOWER
HFP13N50	文件：506.34 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhighenergy	HuashanSHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD 华汕电子器件汕头华汕电子器件有限公司	Huashan

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详细参数

型号：
FQB13N50C
制造商：
FAIRCHILD
制造商全称：
Fairchild Semiconductor
功能描述：
500V N-Channel MOSFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市河锋鑫科技有限公司	FQB13N50C	FAIRCHILD/仙童	17+	TO-263(D2PAK)	31518	原装正品可含税交易	询价
深圳市向鸿伟业电子有限公司	FQB13N50C	FAIRCHILD/仙童	2405+	TO-263	4475	只做原装正品渠道订货	询价
深圳市星佑电子有限公司	FQB13N50C	仙童	05+	TO-263	3800	原装进口	询价
深圳市一线半导体有限公司	FQB13N50C	FAIRCHILD	24+	TO-263(D2PAK)	8866		询价
深圳市永贝尔科技有限公司	FQB13N50C	FAIRCHILD	23+	NA	19960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
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深圳市威尔健半导体有限公司	FQB13N50C	JINGDAO/晶导微	23+	SMAF	69820	终端可以免费供样,支持BOM配单!	询价
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