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FQA8N100C中文资料功率 MOSFET,N 沟道,QFET®,1000 V,8.0 A,1.45 Ω,TO-3P数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FQA8N100C

功能描述

功率 MOSFET,N 沟道,QFET®,1000 V,8.0 A,1.45 Ω,TO-3P

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-23 16:20:00

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FQA8N100C规格书详情

描述 Description

该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻,并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正(PFC)及照明灯电子镇流器。

特性 Features

•8 A、1000 V、RDS(on)= 1.45 Ω(最大值),需 VGS = 10 V、ID = 4 A栅极电荷低(典型值:53nC)
•低 Crss(典型值16pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•100% avalanche tested

应用 Application

• 不间断电源
• 其他工业

技术参数

  • 制造商编号

    :FQA8N100C

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :1000

  • VGS Max (V)

    :±30

  • VGS(th) Max (V)

    :5

  • ID Max (A)

    :8

  • PD Max (W)

    :225

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :1450

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :53

  • Ciss Typ (pF)

    :2475

  • Package Type

    :TO-3P-3L

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