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FQA7N80C_F109中文资料Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 800 V, 7 A, 1.9 Ω, TO-3P数据手册ONSEMI规格书
FQA7N80C_F109规格书详情
描述 Description
该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。
特性 Features
•7A, 800V, RDS(on)= 1.9Ω（最大值）@VGS = 10 V, ID = 3.5A栅极电荷低（典型值：27nC)
•低 Crss（典型值10pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•符合 RoHS 标准
•RoHS compliant
应用 Application
• 台式计算机
• AC-DC商用电源-台式计算机
技术参数
- 制造商编号
：FQA7N80C_F109
- 生产厂家
：ONSEMI
- Compliance
：Pb-freeHalide free
- Status
： Active
- Description
： N-Channel QFET® MOSFET 800V
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：
- V(BR)DSS Min (V)
：800
- VGS Max (V)
：±30
- VGS(th) Max (V)
：5
- ID Max (A)
：7
- PD Max (W)
：198
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：1900
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：27
- Ciss Typ (pF)
：1290
- Package Type
：TO-3P-3LD / EIAJ SC-65
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
TO3P |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON/安森美 |
22+ |
TO-3P |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
SMD |
30000 |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
24+ |
TO-3PN |
8866 |
询价 | |||
ON/安森美 |
22+ |
TO-3P |
14100 |
原装正品 |
询价 | ||
ON Semiconductor |
2022+ |
原厂原包装 |
6800 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
ON |
2447 |
SMD |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
SMD |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
ONSemiconductor |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应 |
询价 |
