首页>FQA7N80C_F109>规格书详情

FQA7N80C_F109数据手册ONSEMI中文资料规格书

PDF无图
厂商型号

FQA7N80C_F109

功能描述

Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 800 V, 7 A, 1.9 Ω, TO-3P

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

下载地址下载地址二

更新时间

2025-8-8 17:30:00

人工找货

FQA7N80C_F109价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

FQA7N80C_F109规格书详情

描述 Description

该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻,并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正(PFC)及照明灯电子镇流器。

特性 Features

•7A, 800V, RDS(on)= 1.9Ω(最大值)@VGS = 10 V, ID = 3.5A栅极电荷低(典型值:27nC)
•低 Crss(典型值10pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•符合 RoHS 标准
•RoHS compliant

应用 Application

• 台式计算机
• AC-DC商用电源-台式计算机

技术参数

  • 制造商编号

    :FQA7N80C_F109

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Compliance

    :Pb-freeHalide free

  • Status

    : Active  

  • Description

    : N-Channel QFET® MOSFET 800V

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    : 

  • V(BR)DSS Min (V)

    :800

  • VGS Max (V)

    :±30

  • VGS(th) Max (V)

    :5

  • ID Max (A)

    :7

  • PD Max (W)

    :198

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :1900

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :27

  • Ciss Typ (pF)

    :1290

  • Package Type

    :TO-3P-3LD / EIAJ SC-65

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
24+
TO-3P
4500
只做原装,欢迎询价,量大价优
询价
FAIRCHILD
1822+
TO-3P
9852
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
询价
FAIRCHILD/仙童
2022+
TO-3P
30000
进口原装现货供应,原装 假一罚十
询价
ON/安森美
21+
SMD
30000
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税
询价
ON/安森美
23+
SMD
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
询价
FAIRCHILD
24+
TO-3PN
8866
询价
ON/安森美
20+
TO-3P
1353
正规渠道原装正品
询价
onsemi(安森美)
24+
TO3P
7350
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!!
询价
ON/安森美
22+
TO-3P
14100
原装正品
询价
三年内
1983
只做原装正品
询价