Power Integrated Module (PIM), F1, IGBT + MOSFET, 650 V, 30 A

Fairchild 的新型 DC-AC 模块设计用于需要更紧凑型设计的功率级。 另外，压装技术提供简单、可靠的安装。 该模块已针对需要高效率和稳健型设计的应用诸如太阳能逆变器而优化。 •高效率\n•低导通损耗和开关损耗\n•低 VCE(sat)： 1.1 V 典型值 @ Ic = 30 A\n•低 RDS(ON)： 90 mΩ 最大值\n•快速恢复体二极管;

ONSEMI

安森美半导体

丝印：FPF1C2P5MF07AM；Package：F1；F1 Module solution for PV-Application

文件：1.95284 Mbytes 页数：11 Pages

ONSEMI

安森美半导体

Package：F1 模块；包装：散装 类别：分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块 描述：IGBT MODULE 620V 39A 231W F1

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安森美半导体

2012+

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SOT23-5

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