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FP40R12KT3	文件：391.71 Kbytes Page：11 Pages	IGBT-inverter IGBT-modules IGBT-inverter diode-inverter IGBT-brake-chopper	eupec eupec GmbH	eupec
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FP40R12KT3G	文件：408.42 Kbytes Page：11 Pages	IGBT-modules IGBT-modules IGBT-inverter diode-inverter IGBT-brake-chopper	eupec eupec GmbH	eupec
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FP40R12KT3BOSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：模块；包装：托盘类别：分立半导体产品晶体管 - IGBT - 模块描述：IGBT MOD 1200V 55A 210W	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
FP40R12KT3BPSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：模块；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - IGBT - 模块描述：LOW POWER ECONO	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
FP40R12KT3GBOSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：模块；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - IGBT - 模块描述：IGBT MOD 1200V 55A 210W	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
KDG40R12KT3	文件：962.63 Kbytes Page：9 Pages	IGBTModule	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI

详细参数

型号：
FP40R12KT3
功能描述：
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 55A
RoHS：
否
制造商：
Infineon Technologies
产品：
IGBT Silicon Modules
配置：
Dual 集电极—发射极最大电压
VCEO：
600 V
集电极—射极饱和电压：
1.95 V 在25
C的连续集电极电流：
230 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
445 W
最大工作温度：
+ 125 C
封装/箱体：
34MM

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更多FP40R12KT3供应商更新时间2025-5-24 8:40:00

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