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FP40R12KE3数据手册分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF

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厂商型号

FP40R12KE3

参数属性

FP40R12KE3 封装/外壳为模块;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块;产品描述:LOW POWER ECONO AG-ECONO2C-311

功能描述

IGBT模块
LOW POWER ECONO AG-ECONO2C-311

封装外壳

模块

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-11 23:39:00

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FP40R12KE3规格书详情

描述 Description

EconoPIM™ 2 1200V three phase PIM IGBT module with Trench/Fieldstop IGBT3, Emitter Controlled 3 diode and NTC

特性 Features

• Low stray inductance module design
• High reliability and power density
• Copper base plate for optimized heat spread
• Solderable pins
• Low switching losses
• High switching frequency
• RoHS-compliant modules

优势:
• Compact module concept
• Optimized customer’s development cycle time and cost
• Configuration flexibility

简介

FP40R12KE3属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由制造生产的FP40R12KE3晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件,主要用作电子开关,兼具高效率和快速切换优点。作为模块,IGBT 配置为非对称式桥; 升压、降压和制动斩波器;全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :FP40R12KE3

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Green

    :yes

  • Halogen-free

    :no

  • Voltage Class

    :1200 V

  • Configuration

    :PIM Three Phase Input Rectifier

  • Technology

    :IGBT3 - E3

  • IC(nom) / IF(nom)

    :40 A

  • OPN

    :FP40R12KE3BOSA1

  • VCE(sat) Tvj=25°C typ

    :1.8 V

  • VF Tvj=25°C typ

    :1.75 V

  • Qualification

    :Industrial

  • Housing

    :EconoPIM™ 2

  • Dimensions length

    :107 mm

  • Dimensions width

    :45 mm

  • Package name

    :AG-ECONO2

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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