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FP35R12W2T4中文资料IGBT模块数据手册Infineon规格书

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厂商型号

FP35R12W2T4

参数属性

FP35R12W2T4 封装/外壳为模块;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块;产品描述:IGBT MOD 1200V 54A 215W

功能描述

IGBT模块
IGBT MOD 1200V 54A 215W

封装外壳

模块

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-11-25 23:00:00

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FP35R12W2T4规格书详情

描述 Description

EasyPIM™ 2B 1200V PIM IGBT module with fast Trench/Fieldstop IGBT4, Emitter Controlled 4 diode and NTC. Also available with Thermal Interface Material.

特性 Features

• Low switching losses
• Trench IGBT 4
• VCEsatwith positive temperature coefficient
• Low VCEsat
• Al2O3Substrate with low thermal resistance
• Compact design
• Solder contact technology
• Rugged mounting due to integrated mounting clamps

优势:
• Compact module concept
• Optimized customer’s development cycle time and cost
• Configuration flexibility

简介

FP35R12W2T4属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由Infineon制造生产的FP35R12W2T4晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件,主要用作电子开关,兼具高效率和快速切换优点。作为模块,IGBT 配置为非对称式桥; 升压、降压和制动斩波器;全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :FP35R12W2T4

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Green

    :yes

  • Halogen-free

    :no

  • Voltage Class

    :1200 V

  • Configuration

    :PIM

  • Technology

    :IGBT4 - T4

  • IC(nom) / IF(nom)

    :35 A

  • OPN

    :FP35R12W2T4BOMA1

  • VCE(sat) Tvj=25°C typ

    :1.85 V

  • VF Tvj=25°C typ

    :1.65 V

  • Qualification

    :Industrial

  • Housing

    :EasyPIM™ 2B

  • Dimensions length

    :56.7 mm

  • Dimensions width

    :48 mm

  • Package name

    :AG-EASY2B

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