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FP35R12N2T7中文资料1200 V、35 A PIM IGBT模块数据手册Infineon规格书

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厂商型号

FP35R12N2T7

参数属性

FP35R12N2T7 封装/外壳为模块;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块;产品描述:LOW POWER ECONO

功能描述

1200 V、35 A PIM IGBT模块
LOW POWER ECONO

封装外壳

模块

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-27 9:40:00

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FP35R12N2T7规格书详情

简介

FP35R12N2T7属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由制造生产的FP35R12N2T7晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件,主要用作电子开关,兼具高效率和快速切换优点。作为模块,IGBT 配置为非对称式桥; 升压、降压和制动斩波器;全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。

技术参数

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  • 产品编号:

    FP35R12N2T7B11BPSA2

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块

  • 系列:

    EconoPIM™ 2

  • 包装:

    散装

  • IGBT 类型:

    沟槽型场截止

  • 配置:

    三相反相器

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.6V @ 15V,35A

  • 输入:

    三相桥式整流器

  • NTC 热敏电阻:

  • 工作温度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    底座安装

  • 封装/外壳:

    模块

  • 供应商器件封装:

    AG-ECONO2B

  • 描述:

    LOW POWER ECONO

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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