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FP15R06W1E3	文件：650.38 Kbytes Page：12 Pages	EasyPIM module with Trench/Fieldstopp IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and NTC	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
FP15R06W1E3	文件：950.67 Kbytes Page：12 Pages	EasyPIM Modul mit Trench	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
FP15R06W1E3_13	文件：950.67 Kbytes Page：12 Pages	EasyPIM Modul mit Trench	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
FP15R06W1E3_B11	文件：677.02 Kbytes Page：12 Pages	EasyPIM module with Trench/Fieldstopp IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and PressFIT / NTC	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
FP15R06W1E3_B11	文件：831.59 Kbytes Page：12 Pages	EasyPIM Modul mit Trench	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
FP15R06W1E3_B11_13	文件：831.59 Kbytes Page：12 Pages	EasyPIM Modul mit Trench	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
FP15R06W1E3B11BOMA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：模块；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - IGBT - 模块描述：IGBT MODULE 600V 22A 81W	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
FP15R06W1E3BOMA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：模块；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - IGBT - 模块描述：IGBT MODULE 600V 22A 81W	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

详细参数

型号：
FP15R06W1E3
功能描述：
IGBT 模块 N-CH 600V 22A
RoHS：
否
制造商：
Infineon Technologies
产品：
IGBT Silicon Modules
配置：
Dual 集电极—发射极最大电压
VCEO：
600 V
集电极—射极饱和电压：
1.95 V 在25
C的连续集电极电流：
230 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
445 W
最大工作温度：
+ 125 C
封装/箱体：
34MM

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