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FODM8801AR2V	文件：206.33 Kbytes Page：11 Pages	OptoHiT Series, High-Temperature Phototransistor Optocoupler in Half-Pitch Mini-Flat 4-Pin Package Description In the OptoHiT series, the FODM8801 is a first−of−kind phototransistor, utilizing onsemi’s leading−edge proprietary process technology to achieve high operating temperature characteristics, up to 125°C. The opto−coupler consists of an aluminum gallium arsenide (AlGaAs) infrared li 文件：206.33 Kbytes 页数：11 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FODM8801AR2V	文件：203.92 Kbytes Page：11 Pages	OptoHiT Series, High-Temperature Phototransistor Optocoupler in Half-Pitch Mini-Flat 4-Pin Package Description In the OptoHiT series, the FODM8801 is a first−of−kind phototransistor, utilizing onsemi’s leading−edge proprietary process technology to achieve high operating temperature characteristics, up to 125°C. The opto−coupler consists of an aluminum gallium arsenide (AlGaAs) infrared li 文件：203.92 Kbytes 页数：11 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FODM8801AV	文件：206.33 Kbytes Page：11 Pages	OptoHiT Series, High-Temperature Phototransistor Optocoupler in Half-Pitch Mini-Flat 4-Pin Package Description In the OptoHiT series, the FODM8801 is a first−of−kind phototransistor, utilizing onsemi’s leading−edge proprietary process technology to achieve high operating temperature characteristics, up to 125°C. The opto−coupler consists of an aluminum gallium arsenide (AlGaAs) infrared li 文件：206.33 Kbytes 页数：11 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FODM8801AV	文件：203.92 Kbytes Page：11 Pages	OptoHiT Series, High-Temperature Phototransistor Optocoupler in Half-Pitch Mini-Flat 4-Pin Package Description In the OptoHiT series, the FODM8801 is a first−of−kind phototransistor, utilizing onsemi’s leading−edge proprietary process technology to achieve high operating temperature characteristics, up to 125°C. The opto−coupler consists of an aluminum gallium arsenide (AlGaAs) infrared li 文件：203.92 Kbytes 页数：11 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FODM8801A	文件：300 bytes Page：1 Pages	OptoHiT™ 系列，高温光电晶体管 OptoHiT™ 系列的FODM8801器件是第一款此类光电晶体管，它采用飞兆半导体领先的专利工艺技术生产，可实现高达125°C的工作温度特性。光电耦合器是由与光电晶体管进行光耦合的铝砷化镓(AlGaAs)红外发光二极管组成，它采用紧凑型的半间距、4引脚微型扁平封装。它可以在极低的输入电流下提供高电流传输比。输入输出隔离电压VISO的额定电压为3750 VACRMS。 • 采用专利工艺技术实现高达125°C的高工作温度特性\n• 保证整个温度范围内的电流传输比(CTR)规格\n• 高温下具有出色的CTR线性\n• 在极低输入电流IF情况下的CTR\n• 由安全政策调节的高隔离电压，UL1577、3750 VAC RMS持续1分钟。和DIN EN/IEC60747-5-2（待审批）\n• 紧凑式半间距微型扁平4引脚封装（1.27mm引脚间距、2.4mm最大离板高度）\n• > 5mm爬电和安全距离\n• 适用于红外线回流焊245°C;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Status：
Active
Channels：
1
CTR (Min) (%)：
80
CTR (Max) (%)：
160
CTR tested @ IF (mA)：
1
VCE(sat) (Max) (V)：
0.4
BVCEO (Min) (V)：
75
BVECO (Min) (V)：
7
ton (Max) (µs)：
6
toff (Max) (µs)：
6
VISO (Min) (V)：
3750
TOPR (Min) (°C)：
-40
TOPR (Max) (°C)：
125
Package Type：
MFP-4

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