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FOD819	文件：269.07 Kbytes Page：11 Pages	FOD819 4-Pin DIP High Speed Phototransistor Optocouplers 文件：269.07 Kbytes 页数：11 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FOD819	文件：300 bytes Page：1 Pages	光电晶体管光耦合器，高速，4 引脚 DIP The FOD819 consists of a gallium arsenide (GaAs) infra-red emitting diode, driving a high speed photo detector with integrated base-to-emitter resistor, RBE, in a 4-pin dual-in-line package. It is designed to be an improved replacement to the popular FOD817 Series when higher speed performance is re • High Speed Performance ~ 30kHz\n• Current Transfer Ratio: 100% to 600%\n• Minimum BVCEO of 80V Guaranteed\n• Safety and Regulatory Approvals:\n• UL1577, 5,000 VACRMS for 1 Minute\n• DIN EN/IEC60747-5-5, 850V Peak Working Insulation Voltage;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FOD819300	文件：269.07 Kbytes Page：11 Pages	FOD819 4-Pin DIP High Speed Phototransistor Optocouplers 文件：269.07 Kbytes 页数：11 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FOD819300W	文件：269.07 Kbytes Page：11 Pages	FOD819 4-Pin DIP High Speed Phototransistor Optocouplers 文件：269.07 Kbytes 页数：11 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FOD8193S	文件：269.07 Kbytes Page：11 Pages	FOD819 4-Pin DIP High Speed Phototransistor Optocouplers 文件：269.07 Kbytes 页数：11 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FOD8193SD	文件：269.07 Kbytes Page：11 Pages	FOD819 4-Pin DIP High Speed Phototransistor Optocouplers 文件：269.07 Kbytes 页数：11 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FOD819S	文件：269.07 Kbytes Page：11 Pages	FOD819 4-Pin DIP High Speed Phototransistor Optocouplers 文件：269.07 Kbytes 页数：11 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FOD819SD	文件：269.07 Kbytes Page：11 Pages	FOD819 4-Pin DIP High Speed Phototransistor Optocouplers 文件：269.07 Kbytes 页数：11 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Status：
Active
Channels：
1
CTR (Min) (%)：
100
CTR (Max) (%)：
600
CTR tested @ IF (mA)：
1.5
VCE(sat) (Max) (V)：
0.3
BVCEO (Min) (V)：
80
BVECO (Min) (V)：
2
VISO (Min) (V)：
5000
TOPR (Min) (°C)：
-55
TOPR (Max) (°C)：
110
Package Type：
PDIP-4

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深圳市高捷芯城科技有限公司	FOD819	onsemi(安森美)	24+	DIP-4	48902	正规渠道,大量现货,只等你来。	询价
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更多FOD819供应商更新时间2025-12-13 16:12:00

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