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FMU-G26S

Silicon Diode

Scope The present specifications shall apply to a FMU-G26S. Outline High Frequency Rectification Type Silicon Diode Structure Resin Molded Applications High Frequency Rectification Flammability UL94V-0(Equivalent)

文件:284.86 Kbytes 页数:5 Pages

SANKEN

三垦

FMU-G26S

Super Fast Rectifiers

VOLTAGE RANGE: 600 V CURRENT: 10 A Features ◇ Metal-Semiconductor junction with guard ring ◇ Epitaxial construction ◇ Low forward voltage drop,low switching losses ◇ High surge capability ◇ For use in low voltage,high frequency inverters free wheeling,and polarity protection applications

文件:223.62 Kbytes 页数:2 Pages

LUGUANG

鲁光电子

FMU-G26S

Fast-Recovery Rectifier Diodes

文件:21.3 Kbytes 页数:1 Pages

SANKEN

三垦

FMU-G26S

高速整流二极管

适用于高频整流的低损耗电源用二极管。 ・低损耗\n・TO220F 型高散热封装;

Sanken

三垦

FMU-G26S

Package:TO-220-2 整包;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE GEN PURP 600V 10A TO220F

SANKEN

三垦

产品属性

  • 产品编号:

    FMU-G26S

  • 制造商:

    Sanken

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    10A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-2 整包

  • 供应商器件封装:

    TO-220F-2L

  • 工作温度 - 结:

    -40°C ~ 150°C

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 600V 10A TO220F

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多FMU-G26S供应商 更新时间2026-2-2 14:51:00