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FMT5N65QDMFK	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOS类沟槽型（Trench）和屏蔽栅沟槽（SGT）功率MOSFET产品，具有导通电阻低、开关特性优、可靠性高等特点。产品广泛应用于电池管理系统、负载开关、通信、消费电子等各个领域	FM 富满	FM
HFD5N65S	文件：991.48 Kbytes Page：8 Pages	650V N-Channel MOSFET 文件：991.48 Kbytes 页数：8 Pages	SEMIHOW	SEMIHOW
HFD5N65S	文件：1.16367 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.16367 Mbytes 页数：5 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
HFD5N65U	文件：273.19 Kbytes Page：8 Pages	Superior Avalanche Rugged Technology 文件：273.19 Kbytes 页数：8 Pages	SEMIHOW	SEMIHOW

技术参数

VTH（V）：
4.5-6.5V
VCE(V)：
650V
Ic@TC=25℃(A)：
5A
Pd(W)25℃：
20
Typ Vce@lc=lcV：
1.85V
VGES(±V)：
±30
Configuration：
Single-N

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FMT5N65QDMFK供应商更新时间2025-11-25 17:00:00

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