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IRF720	文件：273.52 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES •LowerRDS(on) •Improvedinductiveruggedness •Fastswitchingtimes •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Lowerinputcapacitance •Extendedsafeoperationarea •Improvedhightemperaturereliability	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRF720	文件：54.43 Kbytes Page：7 Pages	3.3A,400V,1.800Ohm,N-ChannelPowerMOSFET ThisN-ChannelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisanadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuchasswitching	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRF720	文件：554.36 Kbytes Page：8 Pages	TRANSISTORSN-CHANNEL 400Volt,1.8OhmHEXFETTO-220ABPlasticPackage TheHEXFET®technologyisthekeytoInternationalRectifiersadvancedlineofpowerMOSFETtransistor. FEATURES: ■RepetitiveAvalancheRatings ■Dynamicdv/dtRatings ■SimpleDriveRequirement ■EaseofParalleling	IRF International Rectifier	IRF
IRF720	文件：1.60226 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipation	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF720	文件：45.31 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRITION ·Designedespeciallyforhighvoltage,highspeedapplications,suchasoff-lineswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddrivers. FEATURES ·LowRDS(on) ·VGSRatedat±20V ·SiliconGateforFastSwitchingSpeed ·Rugged ·LowDriveRequirements	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF720	文件：1.01144 Mbytes Page：3 Pages	400Volt,1.8OhmHEXFETTO-220ABPlasticPackage 400Volt,1.8OhmHEXFETTO-220ABPlasticPackage TheHEXFETtransistorsalsofeatureallofthewellestablishedadvantagesofMOSFETssuchasvoltagecontrol,veryfastswitching,easeofparallelingandtemperaturestabilityoftheelectricalparameters. Theyarewellsuitedforapplications	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF720	文件：333.66 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs	ARTSCHIP ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.	ARTSCHIP
IRF720	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
IRF720	文件：343.23 Kbytes Page：6 Pages	N-channelenhancementmodepowermostransistors	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
IRF720A	文件：227.56 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET(400V,1.8ohm,3.3A) AdvancedPowerMOSFET(400V,1.8ohm,3.3A) FEATURES ♦AvalancheRuggedTechnology ♦RuggedGateOxideTechnology ♦LowerInputCapacitance ♦ImprovedGateCharge ♦ExtendedSafeOperatingArea ♦LowerLeakageCurrent:10µA(Max.)@VDS=400V ♦LowerRDS(ON):1.408Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

详细参数

型号：
FMMT720TA-CUT TAPE
制造商：
DIODES
功能描述：
FMMT720 Series PNP 1.5 A 40 V Surface Mount Silicon Power Transistor - SOT-23-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市威尔健半导体有限公司	FMMT720TAIC	DIODES/美台	23+	SOT-23	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市博中泰实业有限公司	FMMT720TAIC	ZETEX	24+	SOT23	60000	全新原装现货	询价
深圳市科恒伟业电子有限公司	FMMT720TAPBF	ZETEX	2016+	SOT-23	6528	只做原装正品现货!或订货	询价
深圳市凌旭科技有限公司	FMMT720TAPBF	ZETEX	2016+	SOT-23	11674	只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!	询价
深圳宇航军工半导体有限公司	FMMT720TAPBF	ZETEX	19+	SOT-23	71643	原厂代理渠道,每一颗芯片都可追溯原厂；	询价
深圳兆威电子有限公司	FMMT720TAPBF	ZETEX	22+	SOT-23	39714	原装正品现货,可开13个点税	询价
深圳市纳艾斯科技有限公司	FMMT720TAPBF	ZETEX	24+	SOT-23	80000	只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增	询价
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更多FMMT720TA-CUT TAPE供应商更新时间2025-5-25 11:00:00

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