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KSB596	文件：51.56 Kbytes Page：5 Pages	PowerAmplifierApplications	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
KSB596Y	文件：51.56 Kbytes Page：5 Pages	PowerAmplifierApplications	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
KSB596YTU	文件：46.08 Kbytes Page：5 Pages	PowerAmplifierApplications PowerAmplifierApplications •ComplementtoKSD526	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
KSK596	文件：46.7 Kbytes Page：5 Pages	CapacitorMicrophoneApplications CapacitorMicrophoneApplications •EspeciallySuitedforuseinAudio,TelephoneCapacitorMicrophones •ExcellentVoltageCharacteristic •ExcellentTransientCharacteristic	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
KTK596	文件：41.26 Kbytes Page：3 Pages	NCHANNELJUNCTIONFIFLDEFFFCTTRANSISTOR(CONDENSERMICROPHONE) CONDENSERMICROPHONEAPPLICATION. FEATURES •ExpeciallySuitedforUseinAudio,Telephone. •CapacitorMicrophones. •ExcellentVoltageCharacteristics. •ExcellentTransientCharacteristics.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KTK596S	文件：46.5 Kbytes Page：5 Pages	NCHANNELJUNCTIONFIFLDEFFFCTTRANSISTOR(CONDENSERMICROPHONE) CONDENSERMICROPHONEAPPLICATION. FEATURES •ExpeciallySuitedforUseinAudio,Telephone. •CapacitorMicrophones. •ExcellentVoltageCharacteristics. •ExcellentTransientCharacteristics.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
NTE596	文件：19.23 Kbytes Page：2 Pages	SiliconDiode,Dual,CommonAnode,HighSpeed Description: TheNTE596consistsoftwosilicondiodesinanSOT–23typesurfacemountpackage.Theanodesarecommonandthedeviceisintendedforhigh–speedswitchingapplicationsinthickandthin–filmcircuits.	NTE NTE Electronics	NTE
OPA596	文件：1.37674 Mbytes Page：27 Pages	OPAx596High-Voltage(85V),Low-Power(420μA),High-SlewRate(100V/μs)PowerAmplifierWithMux-FriendlyInputs 1Features •Highslewrate:100V/μs •Lowpowerconsumption:420μA •Widepower-supplyrange: –±4Vto±42.5V –8Vto85V •Mux-friendlyinputs •Rail-to-railinputandout •Gainbandwidth:3.75MHz •Lownoise:12.8nV/√Hz •Lowinputbiascurrent:5pA •High-outputloaddrive:IO±30m	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
OPA596	文件：2.72314 Mbytes Page：34 Pages	OPAx596High-Voltage(85V),Low-Power(420μA),High-SlewRate(100V/μs)PowerAmplifierWithMux-FriendlyInputs 1Features •Highslewrate:100V/μs •Lowpowerconsumption:420μA •Widepower-supplyrange: –±4Vto±42.5V –8Vto85V •Mux-friendlyinputs •Inputbelowthenegativerail •Rail-to-railoutput •Gainbandwidth:3.75MHz •Lownoise:12.8nV/√Hz •Lowinputbiascurrent:5pA •Lowi	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
OPA596DBVR	文件：2.72314 Mbytes Page：34 Pages	OPAx596High-Voltage(85V),Low-Power(420μA),High-SlewRate(100V/μs)PowerAmplifierWithMux-FriendlyInputs 1Features •Highslewrate:100V/μs •Lowpowerconsumption:420μA •Widepower-supplyrange: –±4Vto±42.5V –8Vto85V •Mux-friendlyinputs •Inputbelowthenegativerail •Rail-to-railoutput •Gainbandwidth:3.75MHz •Lownoise:12.8nV/√Hz •Lowinputbiascurrent:5pA •Lowi	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1

产品属性

产品编号：
FMMT596TA
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
350mV @ 25mA，250mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
85 @ 250mA，10V
频率 - 跃迁：
150MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
TRANS PNP 200V 0.3A SOT23-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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