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KSK596制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Capacitor Microphone Applications

KSK596ABU功能描述:JFET Si NCh JFET RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流(Vgs=0 时的 Idss):50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel

KSK596BBU功能描述:JFET Si NCh JFET RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流(Vgs=0 时的 Idss):50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel

KSK596BU功能描述:JFET Si NCh JFET RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流(Vgs=0 时的 Idss):50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel

KSK596CBU功能描述:JFET Si NCh JFET RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流(Vgs=0 时的 Idss):50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel

KSK596DBU功能描述:JFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流(Vgs=0 时的 Idss):50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel

KSK596PAWD功能描述:JFET N-CH 20V 10MA TO-92S RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> JFET(结点场效应 系列:- 标准包装:8,000 系列:- 电流 - 漏极(Idss) @ Vds(Vgs=0):1.2mA @ 10V 漏极至源极电压(Vdss):30V 漏极电流(Id) - 最大:10mA FET 型:N 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS):- 电压 - 切断(VGS 关)@ Id:180mV @ 1µA 输入电容(Ciss) @ Vds:4pF @ 10V 电阻 - RDS(开):200 欧姆 安装类型:表面贴装 包装:带卷(TR) 封装/外壳:3-XFDFN 供应商设备封装:3-ECSP1006 功率 - 最大:100mW

KSK596PBWD功能描述:JFET N-CH 20V 10MA TO-92S RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> JFET(结点场效应 系列:- 标准包装:8,000 系列:- 电流 - 漏极(Idss) @ Vds(Vgs=0):1.2mA @ 10V 漏极至源极电压(Vdss):30V 漏极电流(Id) - 最大:10mA FET 型:N 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS):- 电压 - 切断(VGS 关)@ Id:180mV @ 1µA 输入电容(Ciss) @ Vds:4pF @ 10V 电阻 - RDS(开):200 欧姆 安装类型:表面贴装 包装:带卷(TR) 封装/外壳:3-XFDFN 供应商设备封装:3-ECSP1006 功率 - 最大:100mW

KSK596PCWD功能描述:JFET N-CH 20V 10MA TO-92S RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> JFET(结点场效应 系列:- 标准包装:8,000 系列:- 电流 - 漏极(Idss) @ Vds(Vgs=0):1.2mA @ 10V 漏极至源极电压(Vdss):30V 漏极电流(Id) - 最大:10mA FET 型:N 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS):- 电压 - 切断(VGS 关)@ Id:180mV @ 1µA 输入电容(Ciss) @ Vds:4pF @ 10V 电阻 - RDS(开):200 欧姆 安装类型:表面贴装 包装:带卷(TR) 封装/外壳:3-XFDFN 供应商设备封装:3-ECSP1006 功率 - 最大:100mW