FMMT417TD分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

| 厂商型号 |
FMMT417TD |
| 参数属性 | FMMT417TD 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 100V 0.5A SOT23-3 |
| 功能描述 | SOT23 NPN SILICON PLANAR AVALANCHE TRANSISTOR |
| 封装外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 文件大小 |
108.49 Kbytes |
| 页面数量 |
2 页 |
| 生产厂商 | DIODES |
| 中文名称 | 美台半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-5 18:50:00 |
| 人工找货 | FMMT417TD价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
FMMT417TD规格书详情
FMMT417TD属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由美台半导体制造生产的FMMT417TD晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
描述 Description
The FMMT415/417 are NPN silicon planar bipolar transistors designed for operating in avalanche mode. Tight process control and low inductance packaging combine to produce high-current pulses with fast edges.
特性 Features
• Avalanche Transistor
• 60A Peak Avalanche Current (Pulse width = 20ns)
• BVCES > 260V (415) & 320V (417)
• BVCEO > 100V
• Specifically designed for Avalanche mode operation
• Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)
• Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)
• Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability
Applications
• Laser Diode Drivers for Ranging and Measurement (LIDAR)
• Radar Systems
• Fast Edge Switch Generator
• High Speed Pulse Generators
产品属性
更多- 产品编号:
FMMT417TD
- 制造商:
Diodes Incorporated
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
NPN 雪崩模式
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
500mV @ 1mA,10mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100nA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
25 @ 10mA,10V
- 频率 - 跃迁:
40MHz
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商器件封装:
SOT-23-3
- 描述:
TRANS NPN 100V 0.5A SOT23-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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