FMMT415分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

厂商型号 |
FMMT415 |
参数属性 | FMMT415 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 100V 0.5A SOT23-3 |
功能描述 | SOT23 NPN SILICON PLANAR AVALANCHE TRANSISTOR |
封装外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
文件大小 |
108.49 Kbytes |
页面数量 |
2 页 |
生产厂商 | Diodes Incorporated |
企业简称 |
DIODES【美台半导体】 |
中文名称 | 美台半导体官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-3 14:36:00 |
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FMMT415规格书详情
描述 Description
The FMMT415/417 are NPN silicon planar bipolar transistors designed for operating in avalanche mode. Tight process control and low inductance packaging combine to produce high-current pulses with fast edges.
特性 Features
• Avalanche Transistor
• 60A Peak Avalanche Current (Pulse width = 20ns)
• BVCES > 260V (415) & 320V (417)
• BVCEO > 100V
• Specifically designed for Avalanche mode operation
• Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)
• Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)
• Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability
Applications
• Laser Diode Drivers for Ranging and Measurement (LIDAR)
• Radar Systems
• Fast Edge Switch Generator
• High Speed Pulse Generators
产品属性
- 产品编号:
FMMT415TC
- 制造商:
Diodes Incorporated
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
卷带(TR)
- 晶体管类型:
NPN 雪崩模式
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
500mV @ 1mA,10mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100nA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
25 @ 10mA,10V
- 频率 - 跃迁:
40MHz
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商器件封装:
SOT-23-3
- 描述:
TRANS NPN 100V 0.5A SOT23-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
DiodesZetex |
23+ |
双极型晶体管 |
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