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FMMT413分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

FMMT413

参数属性

FMMT413 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 50V 0.1A SOT23-3

功能描述

SOT23 NPN silicon planar avalanche transistor
TRANS NPN 50V 0.1A SOT23-3

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

151.35 Kbytes

页面数量

6

生产厂商

DIODES

中文名称

美台半导体

网址

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更新时间

2025-12-2 13:10:00

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FMMT413规格书详情

FMMT413属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由美台半导体制造生产的FMMT413晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

描述 Description

The FMMT413 is a NPN silicon planar bipolar transistor optimized for avalanche mode operation. Tight process control and low inductance packaging combine to produce high current pulses with fast edges, ideal for laser diode driving.

特性 Features

• Avalanche mode operation

• 50A peak avalanche current

• Low inductance packaging

Applications

• Laser LED drivers

• Fast edge generation

• High speed pulse generators

产品属性

更多
  • 产品编号:

    FMMT413TC

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    NPN 雪崩模式

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    150mV @ 1mA,10mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    50 @ 10mA,10V

  • 频率 - 跃迁:

    150MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3

  • 描述:

    TRANS NPN 50V 0.1A SOT23-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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