FMMT413TD分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
FMMT413TD |
| 参数属性 | FMMT413TD 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 50V 0.1A SOT23-3 |
| 功能描述 | SOT23 NPN silicon planar avalanche transistor |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 文件大小 |
151.35 Kbytes |
| 页面数量 |
6 页 |
| 生产厂商 | Diodes Incorporated |
| 企业简称 |
DIODES【美台半导体】 |
| 中文名称 | 美台半导体官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-1 13:36:00 |
| 人工找货 | FMMT413TD价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
FMMT413TD规格书详情
描述 Description
The FMMT413 is a NPN silicon planar bipolar transistor optimized for avalanche mode operation. Tight process control and low inductance packaging combine to produce high current pulses with fast edges, ideal for laser diode driving.
特性 Features
• Avalanche mode operation
• 50A peak avalanche current
• Low inductance packaging
Applications
• Laser LED drivers
• Fast edge generation
• High speed pulse generators
产品属性
- 产品编号：
FMMT413TD
- 制造商：
Diodes Incorporated
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
NPN 雪崩模式
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
150mV @ 1mA，10mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
50 @ 10mA，10V
- 频率 - 跃迁：
150MHz
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
SOT-23-3
- 描述：
TRANS NPN 50V 0.1A SOT23-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
SOT-23 |
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SOT-23 |
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DIODES |
24+ |
SOT-23 |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
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