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FMMT413TD分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

FMMT413TD
厂商型号

FMMT413TD

参数属性

FMMT413TD 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 50V 0.1A SOT23-3

功能描述

SOT23 NPN silicon planar avalanche transistor

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

151.35 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 Diodes Incorporated
企业简称

DIODES

中文名称

Diodes Incorporated官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-5-19 12:21:00

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FMMT413TD规格书详情

Description

The FMMT413 is a NPN silicon planar bipolar transistor optimized for avalanche mode operation. Tight process control and low inductance packaging combine to produce high current pulses with fast edges, ideal for laser diode driving.

Features

• Avalanche mode operation

• 50A peak avalanche current

• Low inductance packaging

Applications

• Laser LED drivers

• Fast edge generation

• High speed pulse generators

产品属性

  • 产品编号:

    FMMT413TD

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN 雪崩模式

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    150mV @ 1mA,10mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    50 @ 10mA,10V

  • 频率 - 跃迁:

    150MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3

  • 描述:

    TRANS NPN 50V 0.1A SOT23-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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