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MLL4126TR	文件：189.46 Kbytes Page：3 Pages	GLASSSURFACEMOUNT0.5WATTZENERS DESCRIPTION The1N4099URthru1N4135URand1N4614URthru1N4627URseriesof0.5wattglasssurfacemountDO-213AAZenervoltageregulatorsprovidesaselectionfrom1.8to100voltsinstandard5tolerancesaswellastightertolerancesidentifiedbydifferentsuffixlettersonthepartnumber.	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
MMBT4126	文件：118.96 Kbytes Page：3 Pages	PNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMBT4126	文件：94.23 Kbytes Page：2 Pages	PNPGeneralPurposeAmplifier PNPGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisdesignedforgeneralpurposeamplifierandswitchingapplicationsatcollectorcurrentsto10µAasaswitchandto100mAasanamplifier.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MMBT4126	文件：83.08 Kbytes Page：6 Pages	PNPGeneralPurposeAmplifier	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MMBT4126	文件：160.58 Kbytes Page：4 Pages	PNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMBT4126	文件：33.38 Kbytes Page：1 Pages	PNP(GENERALPURPOSETRANSISTOR) GENERALPURPOSETRANSISTOR	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
MMBT4126	文件：167.11 Kbytes Page：2 Pages	PNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features ●EpitaxialPlanarDieConstruction ●ComplementaryNPNTypeAvailable(MMBT4124) ●IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching	TRSYS Transys Electronics	TRSYS
MMBT4126	文件：43.77 Kbytes Page：2 Pages	PNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •ComplementaryNPNTypeAvailable(MMBT4124) •IdealforLowPowerAmplificationandSwitching •Lead,HalogenandAntimonyFree,RoHSCompliant GreenDevice(Notes2and4)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMBT4126	文件：345.34 Kbytes Page：6 Pages	25VPNPSMALLSIGNALTRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching •ComplementaryNPNType:MMBT4124 •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHig	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMBT4126	文件：628.43 Kbytes Page：1 Pages	FAIRCHILDSmallSignalTransistors	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

详细参数

型号：
FMMT4126TC
功能描述：
两极晶体管 - BJT -
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FMMT4126TC供应商更新时间2025-7-24 16:30:00

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