Trench Gate MOSFET Modules

·Vdss: 40V to 150V, Id(25): up to 1500A \n·Very low Rds(on)\n·optimized fast intrinsic reverse diode\n·Tvj max: 175°C\n·Kelvin source terminals for easy drive\n·min. 1000 V rms Isolation with ceramic base plate (depending on package);

Littelfuse

力特

TrenchT2 HiperFET N-Channel Power MOSFET

文件：181.8 Kbytes 页数：6 Pages

IXYS

艾赛斯

TO-59

FUJITSU/富士通

上传：深圳市英卓尔科技有限公司

SOT23

ZETEX

上传：深圳市鸿昌盛电子科技有限公司

SOT-23

FOSAN/富信

上传：深圳市千科宇科技有限公司