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FMI07N90E	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	FUJI 富士通	FUJI
FMV07N90E	文件：435.93 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES · Drain Current -ID= 7A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS=900V(Min) · Drain-Source Saturation Voltage -RDS(on) = 1.5Ω(Max)@VGS= 10V, ID= 3.5A DESCRIPTION · Switch Mode Power Supply (SMPS) · Uninterruptible Power Supply (UPS) · Power Factor Correction (PFC) 文件：435.93 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
FMH07N90E	文件：529.13 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET 文件：529.13 Kbytes 页数：5 Pages	FUJI 富士通	FUJI
FMLN16G	文件：0 bytes Page：0 Pages	DFN-6(1.5X1)	FM/富满上传：深圳广友电子有限公司	FM/富满
FMLN16T	文件：0 bytes Page：0 Pages	LGA-6(1.1X0.7)	FM/富满上传：深圳广友电子有限公司	FM/富满

技术参数

Series：
SuperFAP-E3
VDSS(V)：
900
ID(A)：
7
RDS(ON)(Ω)：
2
QG(nC)：
39
VGS(V)：
±30
VGS(th)(V)：
4±0.5
Package：
T-Pack(L)
ID(pulse)(A)：
28
PD(W)：
165
Ciss(pF)：
1200
Crss(pF)：
8.5
Coss(pF)：
115
Trr(ns)：
1650
Net mass(g)：
1.6

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FMI07N90E供应商更新时间2026-10-29 18:05:00

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