600V N-Channel Power MOSFET

FMD3N60E5是采用平面自对准技术制备的硅基N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管，降低了导通损耗，改善了开关特性并提高了雪崩能量。 该晶体管可用于各种功率开关电路中，以实现系统小型化并提高效率。 封装形式为TO-252T，符合RoHS标准。 • 快恢复体二极管消除了零电压开关应用中对外部二极管的需求\n• 较低的栅极电荷使得驱动更简单\n• 更高的阈值电压提供了更好的噪声免疫\n• 较低的导通电阻\n• 符合RoHS\n封装：TO-252T;

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SANKEN
TO-220

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模块

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ROHM/罗姆
SMT

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FM/富满
DFN-6(1.5X1)

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