N-Channel Power MOSFET

FMD2N50E5是采用平面自对准技术制备的硅基N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管，降低了导通损耗，改善了开关特性并提高了雪崩能量。 该晶体管可用于各种功率开关电路中，以实现系统小型化并提高效率。 封装形式为TO-252，符合RoHS标准。 • 快恢复体二极管消除了零电压开关应用中对外部二极管的需求\n• 较低的栅极电荷使得驱动更简单\n• 更高的阈值电压提供了更好的噪声免疫\n封装：TO-252;

Fortior

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FM/富满

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