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FMBSS84

50V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features • Low on-resistance RDS(ON) = 10Ω • Low input capacitance : 30pF • Fast switching speed : 2.5ns • Low output capacitance : 10pF • Low threshole : 2.0V • In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives • Suffix -H indicates Halogen-free part, ex.FMBSS84-H Case : Molded plastic, S

文件:101.75 Kbytes 页数:8 Pages

FORMOSA

美丽微半导体

FMBSS84-H

Mosfets

FormosaMS

美丽微半导体

FMBSS84K-Q1-H

Mosfets

FormosaMS

美丽微半导体

FMBTA92-7-F

SOT23

DIODES/zetex

FMC0H334ZFTP18

DIP

基美

技术参数

  • Package:

    SOT-23

  • ESD:

    No

  • BVDSS(V):

    -50

  • ID(A):

    -0.13

  • PD (W):

    0.25

  • IDSS@VDSS(V):

    -50

  • IDSSMax.(uA):

    -10

  • IGSSVGS(V):

    ±20

  • IGSSMax.(uA):

    -10

  • VGS(th)Min.(V):

    -0.8

  • VGS(th)Max.(V):

    -2.0

  • VGS(th)@ID(mA):

    -1

  • RDSON1Typ.(Ω):

    5

  • RDSON1Max.(Ω):

    10

  • RDSON1@VGS(V):

    -5

  • RDSON1@ID(A):

    -0.1

  • CissTyp.(pF):

    30

  • AEC-Q101Qualified:

    No

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
FMS/美丽微
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更多FMBSS84供应商 更新时间2025-12-24 10:19:00