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FMBA14

NPN Multi-Chip Darlington Transistor

NPN Multi-Chip Darlington Transistor This device is designed for applications requiring extremely high current gain at collector currents to 1.0 A. Sourced from Process 05.

文件:48.5 Kbytes 页数:3 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FMBA14

NPN多芯片达灵顿晶体管

该器件设计用于集电极电流达到1.0A时需要极高电流增益的应用。 采用工艺05设计。

ONSEMI

安森美半导体

FMBTA92-7-F

SOT23

DIODES/zetex

FMC0H334ZFTP18

DIP

基美

FMG22S

TO-220

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • Halide free:

    H

  • Status:

    Active

  • Polarity:

    Dual NPN

  • IC Continuous (A):

    1.2

  • V(BR)CEO Min (V):

    30

  • VCE(sat) Max (V):

    30

  • hFE Min (k):

    20

  • Package Type:

    TSOT-23-6

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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SOT23-6
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更多FMBA14供应商 更新时间2026-1-18 14:14:00