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FMB3906	文件：81.38 Kbytes Page：6 Pages	PNP Multi-Chip General Purpose Amplifier PNP Multi-Chip General Purpose Amplifier This device is designed for general purpose amplifier and switching applications at collector currents of 10 µA to 100 mA. Sourced from Process 66. 文件：81.38 Kbytes 页数：6 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FMB3906	文件：300 bytes Page：1 Pages	PNP多芯片的通用放大器该器件设计用于集电极电流从10 µA至100 mA的通用放大器和开关应用。采用工艺66设计。	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FMBT3906	文件：36.7 Kbytes Page：3 Pages	PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The FMBT3906 is designed for general purpose switching and amplifier applications. 文件：36.7 Kbytes 页数：3 Pages	FORMOSA 美丽微半导体	FORMOSA
FMBT3906	文件：61.96 Kbytes Page：2 Pages	PNP General Purpose Transistor Collector - Emitter Voltage VCEO -40 PNP General Purpose Transistor 文件：61.96 Kbytes 页数：2 Pages	FCI 富加宜	FCI
FMBT3906W	文件：135.46 Kbytes Page：10 Pages	SMD PNP Transistor 200mA Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor Features • High collector-emitterbreakdien voltage. (BVCEO = -40V@IC=-1.0mA) • Small load switch transistor with high gain and low stauration voltage, is designed for general purpose amflifier and switching applications at collector current. • Capa 文件：135.46 Kbytes 页数：10 Pages	FORMOSA 美丽微半导体	FORMOSA

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Polarity：
PNP
Type：
General Purpose
VCE(sat) Max (V)：
0.4
IC Cont. (A)：
0.2
VCEO Min (V)：
40
VCBO (V)：
40
VEBO (V)：
5
VBE(sat) (V)：
0.95
hFE Min：
100
hFE Max：
300
fT Min (MHz)：
200
PTM Max (W)：
0.7
Package Type：
TSOT-23-6

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