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FMB200	文件：50.44 Kbytes Page：4 Pages	PNP Multi-Chip General Purpose Amplifier PNP Multi-Chip General Purpose Amplifier This device is designed for general purpose amplifier applications at collector currents to 300 mA. Sourced from Process 68. 文件：50.44 Kbytes 页数：4 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FMB200	文件：300 bytes Page：1 Pages	PNP Multi-Chip General Purpose Amplifier 该器件设计用于集电极电流达到300mA时的通用放大器应用。采用工艺68设计。	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
QM200HA-HK	文件：71.73 Kbytes Page：5 Pages	HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE • IC Collector current ........................ 200A • VCEX Collector-emitter voltage ........... 600V • hFE DC current gain............................... 75 • Insulated Type • UL Recognized Yellow Card No. E80276 (N) File No. E80271 APPLICATION 文件：71.73 Kbytes 页数：5 Pages	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
QM200HC-M	文件：72.75 Kbytes Page：5 Pages	HIGH POWER SWITCHING USE NON-INSULATED TYPE HIGH POWER SWITCHING USE NON-INSULATED TYPE • IC Collector current ........................ 200A • VCEX Collector-emitter voltage ........... 350V • hFE DC current gain............................. 100 • Non-Insulated Type APPLICATION Robotics, Welders, Forklifts, Golf cart 文件：72.75 Kbytes 页数：5 Pages	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
TM200RZ-H	文件：62.27 Kbytes Page：4 Pages	HIGH POWER GENERAL USE INSULATED TYPE HIGH POWER GENERAL USE INSULATED TYPE • IT (AV) Average on-state current .......... 200A • IF (AV) Average forward current .......... 200A • VRRM Repetitive peak reverse voltage .......... 400/800/1200/1600V • VDRM Repetitive peak off-state voltage .......... 400/800/1200/1600V • MIX DOUBLE A 文件：62.27 Kbytes 页数：4 Pages	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI

技术参数

Compliance：
Pb-freeHalide free
Status：
Active
Description：
PNP Multi-Chip General Purpose Amplifier
Polarity：
PNP
Type：
General Purpose
VCE(sat) Max (V)：
Condition
IC Cont. (A)：
0.5
VCEO Min (V)：
45
VCBO (V)：
60
VEBO (V)：
6
VBE(sat) (V)：
Condition
hFE Min：
Condition
hFE Max：
Condition
fT Min (MHz)：
Condition
PTM Max (W)：
0.7
Package Type：
TSOT-23-6

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