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FMA80N10T2

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES · Drain Current -ID=80A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS=100V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.0128Ω(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS · Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

文件:300.37 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

FMA80N10T2

MOSFET

FUJI

富士通

FMBTA92-7-F

SOT23

DIODES/zetex

FMC0H334ZFTP18

DIP

基美

FMG22S

TO-220

技术参数

  • Series:

    Trench Power MOSFET

  • VDSS(V):

    100

  • ID(A):

    80

  • RDS(ON)(Ω):

    0.0128

  • VGS(V):

    +30/-20

  • VGS(th)(V):

    2 to 4

  • Package:

    TO-220F

  • ID(pulse)(A):

    320

  • PD(W):

    95

  • Net mass(g):

    1.7

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更多FMA80N10T2供应商 更新时间2026-1-31 17:00:00