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IRF530	文件：187.75 Kbytes Page：3 Pages	NCHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTORS	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
IRF530	文件：281.94 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNEL100V-0.115W-14ATO-220LOWGATECHARGESTripFET??IIPOWERMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
IRF530	文件：390.01 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFETsAvalancheEnergyRated	HARRIS Harris Corporation	HARRIS
IRF530	文件：47.74 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTOR N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTORS N-channelenhancementmodePOWERMOSfieldeffecttransistors.EasydriveandveryfastswitchingtimesmakethesePOWERMOStransistorsidealforhighspeedswitchingapplications.ApplicationsincludeDC/DCconverters,UPSbatterychargers,s	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
IRF530	文件：175.84 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)=0.16ohm,Id=14A)	IRF International Rectifier	IRF
IRF530	文件：608.52 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipation	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF530	文件：192.7 Kbytes Page：7 Pages	N?묬hannelEnhancement?묺odeSiliconGate TMOSE−FET.™PowerFieldEffectTransistor N−ChannelEnhancement−ModeSiliconGate ThisadvancedTMOSpowerFETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thisnewenergyefficientdesignalsooffersadrain−to−sourcediodewithafastrecoverytime.Designedfo	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
IRF530	文件：356.3 Kbytes Page：6 Pages	14.0A100VNCHANNELPOWERMOSFET	FCIFirst Components International 戈采戈采企业股份有限公司	FCI
IRF530	文件：153.03 Kbytes Page：3 Pages	14A,100V,0.160Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuchas	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF530	文件：282.16 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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详细参数

型号：
FM530-T
制造商：
FORMOSA
制造商全称：
Formosa MS
功能描述：
Chip Schottky Barrier Diodes - Silicon epitaxial planer type

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FM530-T供应商更新时间2025-7-25 17:55:00

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