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FM280-M	文件：69.67 Kbytes Page：2 Pages	Silicon epitaxial planer type Siliconepitaxialplanertype Features PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-OUtilizingFlameRetardantEpoxyMoldingCompound. Forsurfacemountedapplications. ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228 Lowleakagecur	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
FM280-M	文件：129.91 Kbytes Page：2 Pages	SILICON EPITAXIAL PLANCE TYPE FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory •Flammabilityclassification94V-0UtilizingFame •RetardantEpoxyMoldingCompound •Forsurfacemountapplications •ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228 •Lowleakagecurrent.	PACELEADERPACELEADER INDUSTRIAL 霈峰霈峰实业有限公司	PACELEADER
FM280-M	文件：96.92 Kbytes Page：2 Pages	Chip Schottky Barrier Diodes Features •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-OUtilizingFlameRetardantEpoxyMoldingCompound. •Forsurfacemountedapplications. •ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228 •Lowleakagecurrent.	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
FM280-M	文件：300 bytes Page：1 Pages	Schottky Barrier Rectifiers;	Willas 威伦	Willas
FM280-MH	文件：79.87 Kbytes Page：2 Pages	Chip Schottky Barrier Diodes - Silicon epitaxial planer type Siliconepitaxialplanertype Features PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-OUtilizingFlameRetardantEpoxyMoldingCompound. Forsurfacemountedapplications. ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228 Lowleakagecurren	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
FM280-MHT	文件：60.64 Kbytes Page：7 Pages	Chip Schottky Barrier Rectifier 2.0ASurfaceMountSchottkyBarrierRectifiers-20V-200V Features •Batchprocessdesign,excellentpowerdissipationoffersbetterreverseleakagecurrentandthermalresistance. •Lowprofilesurfacemountedapplicationinordertooptimizeboardspace. •TinyplasticSMDpackage. •Lowpo	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
FM280-MS	文件：59.61 Kbytes Page：7 Pages	SMD Schottky Barrier Rectifier 2.0ASurfaceMountSchottkyBarrierRectifiers-20V-200V Features •Batchprocessdesign,excellentpowerdissipationoffersbetterreverseleakagecurrentandthermalresistance. •Lowprofilesurfacemountedapplicationinordertooptimizeboardspace. •TinyplasticSMDpackage. •Lowpo	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
FM280-MT	文件：60.35 Kbytes Page：7 Pages	Chip Schottky Barrier Rectifier 2.0ASurfaceMountSchottkyBarrierRectifiers-20V-200V Features •Batchprocessdesign,excellentpowerdissipationoffersbetterreverseleakagecurrentandthermalresistance. •Lowprofilesurfacemountedapplicationinordertooptimizeboardspace. •TinyplasticSMDpackage. •Lowpo	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA

技术参数

IFAV (A)：
2
IFSM (A) 8.3ms single half sine-wave：
50
VF_Max(V)：
0.85
VF_IF(A)：
2.0
IR @ Ta=25℃_Max(μA)：
500
IR @ Ta=25℃_VR(V)：
80
Marking Code：
28
Case：
SOD-123-L

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FM280-M供应商更新时间2025-7-25 17:55:00

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