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FM25VN10-GTR

1Mb Serial 3V F-RAM Memory

Description The FM25V10 is a 1-megabit nonvolatile memory employing an advanced ferroelectric process. A ferroelectric random access memory or F-RAM is nonvolatile and performs reads and writes like a RAM. It provides reliable data retention for 10 years while eliminating the complexities, over

文件:531.26 Kbytes 页数:16 Pages

CYPRESSCypress Semiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

FM25VN10-GTR

1Mb Serial 3V F-RAM Memory

文件:333.57 Kbytes 页数:16 Pages

RAMTRON

FM25VN10-GTR

1Mb Serial 3V F-RAM Memory

文件:484.35 Kbytes 页数:17 Pages

CYPRESSCypress Semiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

FM25VN10-GTR

F-RAM (Ferroelectric RAM)

Infineon

英飞凌

FM25VN10-GTR

Package:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装:托盘 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC FRAM 1MBIT SPI 40MHZ 8SOIC

CYPRESSCypress Semiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

产品属性

  • 产品编号:

    FM25VN10-GTR

  • 制造商:

    Cypress Semiconductor Corp

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 系列:

    F-RAM™

  • 包装:

    托盘

  • 存储器类型:

    非易失

  • 存储器格式:

    FRAM

  • 技术:

    FRAM(铁电体 RAM)

  • 存储容量:

    1Mb(128K x 8)

  • 存储器接口:

    SPI

  • 电压 - 供电:

    2V ~ 3.6V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    8-SOIC

  • 描述:

    IC FRAM 1MBIT SPI 40MHZ 8SOIC

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Infineon Technologies
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更多FM25VN10-GTR供应商 更新时间2026-9-28 11:01:00