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FM25V20	文件：531.83 Kbytes Page：17 Pages	2Mb Serial 3V F-RAM Memory Description The FM25V20 is a 2-megabit nonvolatile memory employing an advanced ferroelectric process. A ferroelectric random access memory or F-RAM is nonvolatile and performs reads and writes like a RAM. It provides reliable data retention for 10 years while eliminati 文件：531.83 Kbytes 页数：17 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
FM25V20	文件：531.83 Kbytes Page：17 Pages	2Mb Serial 3V F-RAM Memory 文件：531.83 Kbytes 页数：17 Pages	RAMTRON	RAMTRON
FM25V20	文件：300 bytes Page：1 Pages	2Mb Serial 3V F-RAM Memory	Infineon 英飞凌	Infineon
FM25V20-DG	文件：531.83 Kbytes Page：17 Pages	2Mb Serial 3V F-RAM Memory Description The FM25V20 is a 2-megabit nonvolatile memory employing an advanced ferroelectric process. A ferroelectric random access memory or F-RAM is nonvolatile and performs reads and writes like a RAM. It provides reliable data retention for 10 years while eliminati 文件：531.83 Kbytes 页数：17 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
FM25V20-DGTR	文件：531.83 Kbytes Page：17 Pages	2Mb Serial 3V F-RAM Memory Description The FM25V20 is a 2-megabit nonvolatile memory employing an advanced ferroelectric process. A ferroelectric random access memory or F-RAM is nonvolatile and performs reads and writes like a RAM. It provides reliable data retention for 10 years while eliminati 文件：531.83 Kbytes 页数：17 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
FM25V20-G	文件：531.83 Kbytes Page：17 Pages	2Mb Serial 3V F-RAM Memory Description The FM25V20 is a 2-megabit nonvolatile memory employing an advanced ferroelectric process. A ferroelectric random access memory or F-RAM is nonvolatile and performs reads and writes like a RAM. It provides reliable data retention for 10 years while eliminati 文件：531.83 Kbytes 页数：17 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
FM25V20-GTR	文件：531.83 Kbytes Page：17 Pages	2Mb Serial 3V F-RAM Memory Description The FM25V20 is a 2-megabit nonvolatile memory employing an advanced ferroelectric process. A ferroelectric random access memory or F-RAM is nonvolatile and performs reads and writes like a RAM. It provides reliable data retention for 10 years while eliminati 文件：531.83 Kbytes 页数：17 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
FM25V20-PG	文件：531.83 Kbytes Page：17 Pages	2Mb Serial 3V F-RAM Memory Description The FM25V20 is a 2-megabit nonvolatile memory employing an advanced ferroelectric process. A ferroelectric random access memory or F-RAM is nonvolatile and performs reads and writes like a RAM. It provides reliable data retention for 10 years while eliminati 文件：531.83 Kbytes 页数：17 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
FM25V20A	文件：1.40789 Mbytes Page：22 Pages	2-Mbit (256 K 횞 8) Serial (SPI) F-RAM 文件：1.40789 Mbytes 页数：22 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
FM25V20A-DG	文件：1.40789 Mbytes Page：22 Pages	2-Mbit (256 K 횞 8) Serial (SPI) F-RAM 文件：1.40789 Mbytes 页数：22 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress

技术参数

合格汽车：
否
密度 (Kb)：
2048
频率 (MHz)：
40
接口：
SPI
最高工作温度 (°C)：
85
Max. Operating VCCQ (V)：
3.60
最高工作电压 (V)：
3.60
最低工作温度 (°C)：
-40
Min. Operating VCCQ (V)：
2.00
最低工作电压 (V)：
2.00
组织 (X x Y)：
256Kb x 8
Part Family：
Serial FRAM
速率 (ns)：
无
Tape & Reel：
否
温度分类：
工业

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FM25V20供应商更新时间2025-12-10 15:03:00

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