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FM25V05-G	文件：532.21 Kbytes Page：16 Pages	512Kb Serial 3V F-RAM Memory Description TheFM25V05isa512-kilobitnonvolatilememoryemployinganadvancedferroelectricprocess.AferroelectricrandomaccessmemoryorF-RAMisnonvolatileandperformsreadsandwriteslikeaRAM.Itprovidesreliabledataretentionfor10yearswhileeliminatingthecomplexities,over	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
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FM25V05-GTR	文件：532.21 Kbytes Page：16 Pages	512Kb Serial 3V F-RAM Memory Description TheFM25V05isa512-kilobitnonvolatilememoryemployinganadvancedferroelectricprocess.AferroelectricrandomaccessmemoryorF-RAMisnonvolatileandperformsreadsandwriteslikeaRAM.Itprovidesreliabledataretentionfor10yearswhileeliminatingthecomplexities,over	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
FM25V05-GTR	文件：486.94 Kbytes Page：17 Pages	512Kb Serial 3V F-RAM Memory	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
FM25V05-GTR	文件：334.4 Kbytes Page：16 Pages	512Kb Serial 3V F-RAM Memory	RAMTRON Ramtron International Corporation	RAMTRON
FM25V05-GTR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FRAM 512KBIT SPI 40MHZ 8SOIC	Cypress Semiconductor Corp Cypress Semiconductor Corp	Cypress Semiconductor Corp

产品属性

产品编号：
FM25V05-G
制造商：
Cypress Semiconductor Corp
类别：
集成电路（IC） > 存储器
系列：
F-RAM™
包装：
管件
存储器类型：
非易失
存储器格式：
FRAM
技术：
FRAM（铁电体 RAM）
存储容量：
512Kb（64K x 8）
存储器接口：
SPI
电压 - 供电：
2V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
IC FRAM 512KBIT SPI 40MHZ 8SOIC

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更多FM25V05-G供应商更新时间2025-7-12 16:20:00

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