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FM25040B-GTR

4-Kbit (512 × 8) Serial (SPI) F-RAM

Features ■ 4-Kbit ferroelectric random access memory (F-RAM) logically organized as 512 × 8 ❐ High-endurance 100 trillion (1014) read/writes ❐ 151-year data retention (See the Data Retention and Endurance table) ❐ NoDelay™ writes ❐ Advanced high-reliability ferroelectric process ■ Very fast

文件:686.76 Kbytes 页数:22 Pages

CYPRESSCypress Semiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

FM25040B-GTR

4Kb Serial 5V F-RAM Memory

文件:313.58 Kbytes 页数:13 Pages

RAMTRON

FM25040B-GTR

4Kb Serial 5V F-RAM Memory

文件:449.62 Kbytes 页数:13 Pages

CYPRESSCypress Semiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

FM25040B-GTR

4Kb Serial 5V F-RAM Memory

文件:402.73 Kbytes 页数:14 Pages

CYPRESSCypress Semiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

FM25040B-GTR

F-RAM (Ferroelectric RAM)

Infineon

英飞凌

FM25040B-GTR

Package:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC FRAM 4KBIT SPI 20MHZ 8SOIC

CYPRESSCypress Semiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

产品属性

  • 产品编号:

    FM25040B-GTR

  • 制造商:

    Cypress Semiconductor Corp

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 系列:

    F-RAM™

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 存储器类型:

    非易失

  • 存储器格式:

    FRAM

  • 技术:

    FRAM(铁电体 RAM)

  • 存储容量:

    4Kb(512 x 8)

  • 存储器接口:

    SPI

  • 电压 - 供电:

    4.5V ~ 5.5V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    8-SOIC

  • 描述:

    IC FRAM 4KBIT SPI 20MHZ 8SOIC

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更多FM25040B-GTR供应商 更新时间2026-2-7 20:00:00