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FKI10126

N ch Trench Power MOSFET

文件:266.16 Kbytes 页数:6 Pages

SANKEN

三垦

FKI10126

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:295.55 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

FKI10126

硅 N 通道型 MOSFET

硅 N 通道型 MOSFET 低Qg与低导通电阻MOSFET\n高速开关\n4.5V栅极驱动;

Sanken

三垦

FKI10126_14

N ch Trench Power MOSFET

文件:610.54 Kbytes 页数:9 Pages

SANKEN

三垦

技术参数

  • VDS:

    100V

  • VGS:

    ±20V

  • ID:

    41A

  • PD:

    42W

  • VTHmin:

    1V

  • VTHmax:

    2.5V

  • RDS(ON)Typ.(VGS=4.5V):

    0.0129Ω

  • RDS(ON)Typ.(VGS=10V):

    0.0088Ω

  • Ciss:

    6420pF

  • Coss:

    465pF

  • Crss:

    280pF

  • Qg(VGS=4.5V):

    45.2nC

  • Qg(VGS=10V):

    95.6nC

  • trr:

    54.6ns

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更多FKI10126供应商 更新时间2021-9-14 10:50:00