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FJPF2145

ESBCTM Rated NPN Power Transistor

文件:762.59 Kbytes 页数:12 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FJPF2145

Rated NPN Power Transistor

文件:853.37 Kbytes 页数:14 Pages

ONSEMI

安森美半导体

FJPF2145

ESBC 额定 NPN 功率晶体管

FJP2145 是一个低成本、高性能的功率开关,当它在以下应用的 ESBC™ 配置中使用时可提供最佳性能: 电源、电机驱动器、智能电网或点火开关。 功率开关可在高达1100V的电压和5amps的电流下工作,同时提供出色的低导通电阻和极低的开关损耗。 ESBC™ 开关可由现成的电源控制器或驱动器进行驱动。 ESBC™ MOSFET 是将低输入电容和快速开关整合在一起的低电压、低成本表面贴装器件。 由于没有米勒电容,ESBC™ 配置可进一步最小化所需驱动电源。 FJP2145 因其具有方形的反向偏压安全工作区 (RBSOA) 和坚固的设计,因此它可提供一流的可靠性和较大的工作范围。 该器件具有雪崩 •低等效导通电阻\n•非常快速开关: 150 kHz\n•宽 RBSOA: 高达 1100 V \n•雪崩额定值 \n•低驱动电容,无米勒电容 \n•低开关损耗 \n•可靠的高压开关: 因其具有高 dv/dt 瞬变能力,可实现无误触发;

ONSEMI

安森美半导体

FJPF2145TU

丝印:J2145;Package:TO-220F;Rated NPN Power Transistor

文件:853.37 Kbytes 页数:14 Pages

ONSEMI

安森美半导体

FJPF2145TU

Package:TO-220-3 整包;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 800V 5A TO220F-3

ONSEMI

安森美半导体

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • Status:

    Active

  • Polarity:

    NPN

  • Type:

    ESBC Power Transistor

  • VCE(sat) Max (V):

    2

  • IC Cont. (A):

    5

  • VCEO Min (V):

    800

  • VCBO (V):

    1100

  • VEBO (V):

    7

  • VBE(sat) (V):

    1.5

  • hFE Min:

    20

  • hFE Max:

    40

  • fT Min (MHz):

    15

  • PTM Max (W):

    40

  • Package Type:

    TO-220-3 FullPak

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更多FJPF2145供应商 更新时间2026-4-17 11:02:00