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FJP5555	文件：285.21 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= 400V(Min) · Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat) :0.5V(Max) @IC= 1A APPLICATIONS · Electronic Ballast · Switch Mode Power Supplies 文件：285.21 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
FJP5555	文件：226.89 Kbytes Page：7 Pages	NPN Silicon Transistor 文件：226.89 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FJP5555	文件：66.98 Kbytes Page：5 Pages	High Voltage Switch Mode Application 文件：66.98 Kbytes 页数：5 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FJP5555	文件：741.79 Kbytes Page：6 Pages	NPN Silicon Transistor 文件：741.79 Kbytes 页数：6 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FJP5555	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN芯片晶体管 FJP5555是一款1050 V 5 A NPN硅外延平面晶体管。 FJP5555设计用于高速开关应用，采用业界标准TO-220封装，提供设计灵活性以及出色的功耗性能。 •高电压能力\n•高开关速度\n•宽安全工作范围;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FJP5555_10	文件：278.35 Kbytes Page：5 Pages	NPN Silicon Transistor 文件：278.35 Kbytes 页数：5 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FJP5555TU	文件：226.89 Kbytes Page：7 Pages	丝印：J5555；Package：O-220；NPN Silicon Transistor 文件：226.89 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FJP5555TU	文件：741.79 Kbytes Page：6 Pages	NPN Silicon Transistor 文件：741.79 Kbytes 页数：6 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FJP5555TU	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 400V 5A TO220-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Status：
Active
Polarity：
NPN
Type：
Silicon Transistor
VCE(sat) Max (V)：
1.5
IC Cont. (A)：
5
VCEO Min (V)：
400
VCBO (V)：
1050
VEBO (V)：
14
VBE(sat) (V)：
1.2
hFE Min：
20
hFE Max：
40
PTM Max (W)：
75
Package Type：
TO-220-3

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更多FJP5555供应商更新时间2026-1-17 11:44:00

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